Intel, Micron e le memorie 3D Xpoint

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Le due aziende annunciano un nuovo tipo di architettura che unisce densità a velocità. Con le qualità di DRAM e SSD riunite insieme

‘esplosione dei big data, del computing ubiquo che produce zettabyte di dati, impone cambi di strategia a chi si occupa di processori e di memorie: due pezzi grossi del settore, Intel e Micron, si sono messi assieme per produrre un risultato frutto dello sforzo comune in grado di cambiare le prospettive dello storage. Il risultato è un prodotto decisamente più veloce e più affidabile dell’attuale media, fino a 1.000 volte, e più denso, fino a 10 volte, per creare nuove classi di prodotto capaci di tenere testa all’attuale crescita della mole di dati prodotta dall’umanità. L’hanno chiamata 3D XPoint memory (pronunciata 3D crosspoint).

Mille volte più veloce della NAND: è un’affermazione forte che dovrà essere messa alla prova, ma la competenza tecnica dei nomi in gioco lascia pochi dubbi sulla qualità del risultato. Il segreto della formula dovrebbe essere nei materiali e nel metodo di produzione, con una serie di “colonne” costruite nel silicio che vengono cambiate di stato molto rapidamente con un collegamento diretto al controller, e che basano l’informazione contenuta non sugli elettroni ma sul cambiamento di stato del materiale utilizzato nella costruzione della cella di memoria. Il meccanismo di funzionamento è molto diverso da quello a cui siamo stati abituati a vedere fino a oggi in circolazione.

In effetti questa memoria 3D Xpoint è una via di mezzo tra un banco di memoria RAM e un disco SSD: ha la velocità della prima ed è una memoria non volatile come la seconda, quindi potrebbe cambiare il modo stesso in cui vengono concepite le macchine vendute sul mercato. Consuma meno perché non deve essere rinfrescata (refresh) a intervalli di tempo predefiniti, ma viene attivata e consultata in modo decisamente più rapido del solito storage. Per dare un’idea delle prestazioni, dal palco suggeriscono di pensare al modo in cui sono cambiate le performance dello storage passando dallo storage magnetico agli SSD: un cambiamento molto significativo in termini qualitativi e quantitavi, che Intel e Micron sperano di poter replicare.

Cosa si possa fare con questo prodotto è da vedersi: Intel e Micron parlano di una memoria non volatile in grado di garantire migliori SLA per i servizi cloud, storage più veloce e durevole, latenze inferiori. Ma anche gli utenti finali, i consumer, potrebbero trarre vantaggi nella vita di tutti i giorni: per esempio nel gioco, i videogame potrebbero caricare molto più rapidamente con i dati mossi dallo storage alla CPU in tempi molto più brevi (fino a oggi molto spesso la CPU era costretta ad aspettare lo storage), ma anche i sistemi di riconoscimento della voce e dei gesti che vanno imponendosi come input alternativi o il calcolo massivo (come quello scientifico eseguito su singoli workstation) riceverebbero una accelerazione significativa.

La collaborazione di Intel e Micron è andata oltre alla ricerca pura, si è trasformata in una collaborazione pratica con uno stabilimento di produzione comune nello Utah che ha già iniziato a sfornare wafer di silicio. La vendita dei prodotti finali sarà comunque differenziata tra le due aziende. La nuova tecnologia a giudizio della joint venture è altamente scalabile:avrà un costo per bit che sarà a metà tra l’attuale costo delle NAND e quello delle DRAM, quindi poterebbe essere decisamente concorrenziale anche per quanto attiene i prezzi finali.

 

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